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功能简介

设备简介1．产品位置纠偏抓取，自动识别正反;2.自动测试，良品/不良品分类;3.换产只需更换对应的工装;4．仪器功能可拓展;5．绝缘电阻≥1X109/Q,DC500V;

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设备简介IGCT（IntergratedGateCommutatedThyristors）是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。

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KC3110功率半导体高精度静态特性测试系统，基于全新三代半SiC, GaN器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产品开发。本系统可以在3KV和1000/2000A的条件下实现精确测量和参数分析，漏电流测试分辨率高达fA级，电压测试分阱率最高可这nV级，以及3000V高压下的寄生电容的精密测量。全自动程控软件，图型化上位机操作界面。内置开关切换矩阵保证测试效率。模块化结构设计预留升级扩展潜能。测试接口可外挂各类夹具和适配器，还能够通过专用接口连接各种Handler：如分选机、机械手、探针台、编带机等。

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设备简介KC3120功率半导体动态参数测试系统可针对各类型 GaN、Si基及SiC基二极管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各项动态参数测试，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复充电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反向转移电容、短路。通过更换不同的测试单元以达到对应测试内容，通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、 读取保存测试结果。

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设备简介KC3111功率半导体高精度静态特性测试系统（面向工厂生产端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产品开发。脉冲信号源输出方面，高压源标配2000V（选配3.5KV）,高流源标配1KA（选配4KA多模块并联）,栅极电压30V。采用多量程设计架构，各量程下均可保证0.1%精度，具有uΩ级精确测量，pA 级漏电流测量能力。全自动程控软件，图型化上位机操作界面。内置开关切换矩阵保证测试效率。模块化结构设计预留升级扩展潜能。测试接口可外挂各类夹具和适配器，还能够通过专用接口连接各种Handler：如分选机、机械手、探针台、编带机等。

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KC-3105 测试系统中可同时完成HTRB和DHTRB测试，整体架构模块化，通讯协议、通讯接口等采用统一标准，便于后期扩展和维护。该系统集成度高、应用覆盖面广，系统采用软、硬件一体化设计且功能丰富，在保证系统稳定运行的同时，可以快速满足功率半导体可靠性测试需求。